SSM6J825R,LF
Номер детали:
SSM6J825R,LF
Категория продукта:
Однополевые транзисторы, МОП-транзисторы
Производитель:
Toshiba Semiconductor and Storage
Описание:
P-CH MOSFET -30V, -20/+10V, -4A
Упаковка:
Cut Tape (CT)
Состояние ROHS:
Да
Валюта:
-
PDF:
Данные
Характеристики
- Статус детали Active
- Тип монтажа Surface Mount
- Технология MOSFET (Metal Oxide)
- FET Особенности -
- Класс -
- Квалификация -
- Тип полевого транзистора P-Channel
- Рабочая температура 150°C
- Vgs(th) (макс.) при Id 2V @ 250µA
- Напряжение сток-исток (Vdss) 30 V
- Ток стока (Id) непрерывный при 25°C 4A (Ta)
- Напряжение привода (Макс. Rds On, Мин. Rds On) 4V, 10V
- Корпус 6-SMD, Flat Leads
- Рассеиваемая мощность (максимальная) 1.5W (Ta)
- Заряд затвора (Qg) (макс.) при Vgs 6.2 nC @ 4.5 V
- Vgs (макс.) +10V, -20V
- Rds On (Макс) @ Id, Vgs 45mOhm @ 4A, 10V
- Поставщик Устройство Корпус 6-TSOP-F
- Входная емкость (Ciss) (макс.) при Vds 492 pF @ 10 V