SSM6K819R,LF
Номер детали:
SSM6K819R,LF
Категория продукта:
Однополевые транзисторы, МОП-транзисторы
Производитель:
Toshiba Semiconductor and Storage
Описание:
N-CH MOSFET, 100 V, 10 A, 0.0258
Упаковка:
Cut Tape (CT)
Состояние ROHS:
Да
Валюта:
-
PDF:
Данные
Характеристики
- Статус детали Active
- Тип монтажа Surface Mount
- Тип полевого транзистора N-Channel
- Технология MOSFET (Metal Oxide)
- Напряжение сток-исток (Vdss) 100 V
- Vgs (макс.) ±20V
- FET Особенности -
- Класс Automotive
- Квалификация AEC-Q101
- Напряжение привода (Макс. Rds On, Мин. Rds On) 4.5V, 10V
- Ток стока (Id) непрерывный при 25°C 10A (Ta)
- Корпус 6-SMD, Flat Leads
- Рассеиваемая мощность (максимальная) 1.5W (Ta)
- Заряд затвора (Qg) (макс.) при Vgs 8.5 nC @ 4.5 V
- Vgs(th) (макс.) при Id 2.5V @ 100µA
- Рабочая температура 175°C
- Входная емкость (Ciss) (макс.) при Vds 1110 pF @ 15 V
- Поставщик Устройство Корпус 6-TSOP-F
- Rds On (Макс) @ Id, Vgs 25.8mOhm @ 4A, 10V