SSM6L56FE,LM
Номер детали:
SSM6L56FE,LM
Категория продукта:
FET, массивы MOSFET
Производитель:
Toshiba Semiconductor and Storage
Описание:
MOSFET N/P-CH 20V 0.8A ES6
Упаковка:
Cut Tape (CT)
Состояние ROHS:
Да
Валюта:
-
PDF:
Данные
Характеристики
- Статус детали Active
- Тип монтажа Surface Mount
- Технология MOSFET (Metal Oxide)
- Ток стока (Id) непрерывный при 25°C 800mA (Ta)
- Рабочая температура 150°C
- Конфигурация N and P-Channel
- Напряжение сток-исток (Vdss) 20V
- Заряд затвора (Qg) (макс.) при Vgs 1nC @ 10V
- Корпус SOT-563, SOT-666
- Vgs(th) (макс.) при Id 1V @ 1mA
- Поставщик Устройство Корпус ES6
- FET Особенности Logic Level Gate, 1.5V Drive
- Мощность - Максимальная 150mW (Ta)
- Rds On (Макс) @ Id, Vgs 235mOhm @ 800mA, 4.5V, 390mOhm @ 800mA, 4.5V
- Входная емкость (Ciss) (макс.) при Vds 55pF @ 10V, 100pF @ 10V