SSM6N35AFE,LF
Номер детали:
SSM6N35AFE,LF
Категория продукта:
FET, массивы MOSFET
Производитель:
Toshiba Semiconductor and Storage
Описание:
MOSFET 2N-CH 20V 0.25A ES6
Упаковка:
Cut Tape (CT)
Состояние ROHS:
Да
Валюта:
-
PDF:
Данные
Характеристики
- Статус детали Active
- Тип монтажа Surface Mount
- Технология MOSFET (Metal Oxide)
- Рабочая температура 150°C
- Напряжение сток-исток (Vdss) 20V
- Конфигурация 2 N-Channel (Dual)
- Ток стока (Id) непрерывный при 25°C 250mA (Ta)
- Корпус SOT-563, SOT-666
- Мощность - Максимальная 250mW
- Vgs(th) (макс.) при Id 1V @ 100µA
- Заряд затвора (Qg) (макс.) при Vgs 0.34nC @ 4.5V
- Поставщик Устройство Корпус ES6
- FET Особенности Logic Level Gate, 1.2V Drive
- Rds On (Макс) @ Id, Vgs 1.1Ohm @ 150mA, 4.5V
- Входная емкость (Ciss) (макс.) при Vds 36pF @ 10V