SSM6P69NU,LF
Номер детали:
SSM6P69NU,LF
Категория продукта:
FET, массивы MOSFET
Производитель:
Toshiba Semiconductor and Storage
Описание:
MOSFET 2P-CH 20V 4A 6DFN
Упаковка:
Cut Tape (CT)
Состояние ROHS:
Да
Валюта:
-
PDF:
Данные
Характеристики
- Статус детали Active
- Тип монтажа Surface Mount
- Технология MOSFET (Metal Oxide)
- Рабочая температура 150°C
- Напряжение сток-исток (Vdss) 20V
- Конфигурация 2 P-Channel (Dual)
- Ток стока (Id) непрерывный при 25°C 4A (Ta)
- Корпус 6-WDFN Exposed Pad
- Поставщик Устройство Корпус 6-µDFN (2x2)
- Vgs(th) (макс.) при Id 1.2V @ 1mA
- Входная емкость (Ciss) (макс.) при Vds 480pF @ 10V
- Rds On (Макс) @ Id, Vgs 45mOhm @ 3.5A, 10V
- Заряд затвора (Qg) (макс.) при Vgs 6.74nC @ 4.5V
- FET Особенности Logic Level Gate, 1.8V Drive
- Мощность - Максимальная 1W (Ta)