TJ90S04M3L,LQ
Номер детали:
TJ90S04M3L,LQ
Категория продукта:
Однополевые транзисторы, МОП-транзисторы
Производитель:
Toshiba Semiconductor and Storage
Описание:
PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR DPA
Упаковка:
Cut Tape (CT)
Состояние ROHS:
Да
Валюта:
-
PDF:
Данные
Характеристики
- Статус детали Active
- Тип монтажа Surface Mount
- Технология MOSFET (Metal Oxide)
- FET Особенности -
- Класс Automotive
- Квалификация AEC-Q101
- Тип полевого транзистора P-Channel
- Корпус TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
- Vgs(th) (макс.) при Id 2V @ 1mA
- Рассеиваемая мощность (максимальная) 180W (Tc)
- Напряжение привода (Макс. Rds On, Мин. Rds On) 4.5V, 10V
- Напряжение сток-исток (Vdss) 40 V
- Ток стока (Id) непрерывный при 25°C 90A (Ta)
- Заряд затвора (Qg) (макс.) при Vgs 172 nC @ 10 V
- Рабочая температура 175°C
- Vgs (макс.) +10V, -20V
- Поставщик Устройство Корпус DPAK+
- Входная емкость (Ciss) (макс.) при Vds 7700 pF @ 10 V
- Rds On (Макс) @ Id, Vgs 4.3mOhm @ 45A, 10V