TK042N65Z5,S1F
Номер детали:
TK042N65Z5,S1F
Категория продукта:
Однополевые транзисторы, МОП-транзисторы
Производитель:
Toshiba Semiconductor and Storage
Описание:
650V DTMOS6 HSD 42MOHM TO-247
Упаковка:
Tube
Состояние ROHS:
Да
Валюта:
-
PDF:
Данные
Характеристики
- Тип монтажа Through Hole
- Статус детали Active
- Тип полевого транзистора N-Channel
- Технология MOSFET (Metal Oxide)
- Напряжение привода (Макс. Rds On, Мин. Rds On) 10V
- FET Особенности -
- Класс -
- Квалификация -
- Рабочая температура 150°C
- Корпус TO-247-3
- Рассеиваемая мощность (максимальная) 360W (Tc)
- Vgs (макс.) ±30V
- Напряжение сток-исток (Vdss) 650 V
- Заряд затвора (Qg) (макс.) при Vgs 105 nC @ 10 V
- Поставщик Устройство Корпус TO-247
- Ток стока (Id) непрерывный при 25°C 55A (Ta)
- Rds On (Макс) @ Id, Vgs 42mOhm @ 27.5A, 10V
- Vgs(th) (макс.) при Id 4.5V @ 2.85mA
- Входная емкость (Ciss) (макс.) при Vds 6280 pF @ 300 V