TK080U60Z1,RQ
Номер детали:
TK080U60Z1,RQ
Категория продукта:
Однополевые транзисторы, МОП-транзисторы
Производитель:
Toshiba Semiconductor and Storage
Описание:
N-CH MOSFET, 600 V, 0.08 @10V, T
Упаковка:
Cut Tape (CT)
Состояние ROHS:
Да
Валюта:
-
PDF:
Данные
Характеристики
- Статус детали Active
- Тип монтажа Surface Mount
- Тип полевого транзистора N-Channel
- Технология MOSFET (Metal Oxide)
- Напряжение привода (Макс. Rds On, Мин. Rds On) 10V
- FET Особенности -
- Класс -
- Квалификация -
- Рабочая температура 150°C
- Напряжение сток-исток (Vdss) 600 V
- Vgs (макс.) ±30V
- Заряд затвора (Qg) (макс.) при Vgs 43 nC @ 10 V
- Ток стока (Id) непрерывный при 25°C 30A (Ta)
- Рассеиваемая мощность (максимальная) 211W (Tc)
- Корпус 8-PowerSFN
- Поставщик Устройство Корпус TOLL
- Rds On (Макс) @ Id, Vgs 80mOhm @ 10.3A, 10V
- Vgs(th) (макс.) при Id 4V @ 1.17mA
- Входная емкость (Ciss) (макс.) при Vds 2510 pF @ 300 V