TK110N65Z,S1F
Номер детали:
TK110N65Z,S1F
Категория продукта:
Однополевые транзисторы, МОП-транзисторы
Производитель:
Toshiba Semiconductor and Storage
Описание:
POWER MOSFET TRANSISTOR TO-247(O
Упаковка:
Tube
Состояние ROHS:
Да
Валюта:
-
PDF:
Данные
Характеристики
- Тип монтажа Through Hole
- Статус детали Active
- Тип полевого транзистора N-Channel
- Технология MOSFET (Metal Oxide)
- Напряжение привода (Макс. Rds On, Мин. Rds On) 10V
- FET Особенности -
- Класс -
- Квалификация -
- Рабочая температура 150°C
- Рассеиваемая мощность (максимальная) 190W (Tc)
- Корпус TO-247-3
- Заряд затвора (Qg) (макс.) при Vgs 40 nC @ 10 V
- Vgs (макс.) ±30V
- Напряжение сток-исток (Vdss) 650 V
- Поставщик Устройство Корпус TO-247
- Ток стока (Id) непрерывный при 25°C 24A (Ta)
- Rds On (Макс) @ Id, Vgs 110mOhm @ 12A, 10V
- Vgs(th) (макс.) при Id 4V @ 1.02mA
- Входная емкость (Ciss) (макс.) при Vds 2250 pF @ 300 V