TK115A65Z5,S4X

TK115A65Z5,S4X

Номер детали: TK115A65Z5,S4X
Категория продукта: Однополевые транзисторы, МОП-транзисторы
Производитель: Toshiba Semiconductor and Storage
Описание: N-CH MOSFET, 650 V, 0.115 @10V,
Упаковка: Tube
Состояние ROHS: Да
Валюта: -
PDF: Данные

Характеристики

  • Тип монтажа Through Hole
  • Статус детали Active
  • Тип полевого транзистора N-Channel
  • Технология MOSFET (Metal Oxide)
  • Напряжение привода (Макс. Rds On, Мин. Rds On) 10V
  • FET Особенности -
  • Класс -
  • Квалификация -
  • Рабочая температура 150°C
  • Корпус TO-220-3 Full Pack
  • Рассеиваемая мощность (максимальная) 45W (Tc)
  • Vgs (макс.) ±30V
  • Напряжение сток-исток (Vdss) 650 V
  • Заряд затвора (Qg) (макс.) при Vgs 42 nC @ 10 V
  • Ток стока (Id) непрерывный при 25°C 24A (Ta)
  • Поставщик Устройство Корпус TO-220SIS
  • Rds On (Макс) @ Id, Vgs 115mOhm @ 12A, 10V
  • Vgs(th) (макс.) при Id 4.5V @ 1.02mA
  • Входная емкость (Ciss) (макс.) при Vds 2280 pF @ 300 V