TK155E65Z,S1X
Номер детали:
TK155E65Z,S1X
Категория продукта:
Однополевые транзисторы, МОП-транзисторы
Производитель:
Toshiba Semiconductor and Storage
Описание:
650V DTMOS VI TO-220 155MOHM
Упаковка:
Tube
Состояние ROHS:
Да
Валюта:
-
PDF:
Данные
Характеристики
- Тип монтажа Through Hole
- Статус детали Active
- Тип полевого транзистора N-Channel
- Технология MOSFET (Metal Oxide)
- Напряжение привода (Макс. Rds On, Мин. Rds On) 10V
- FET Особенности -
- Класс -
- Квалификация -
- Корпус TO-220-3
- Заряд затвора (Qg) (макс.) при Vgs 29 nC @ 10 V
- Рассеиваемая мощность (максимальная) 150W (Tc)
- Поставщик Устройство Корпус TO-220
- Рабочая температура 150°C
- Vgs (макс.) ±30V
- Напряжение сток-исток (Vdss) 650 V
- Ток стока (Id) непрерывный при 25°C 18A (Ta)
- Vgs(th) (макс.) при Id 4V @ 730µA
- Входная емкость (Ciss) (макс.) при Vds 1635 pF @ 300 V
- Rds On (Макс) @ Id, Vgs 155mOhm @ 9A, 10V