TK16V60W5,LVQ
Номер детали:
TK16V60W5,LVQ
Категория продукта:
Однополевые транзисторы, МОП-транзисторы
Производитель:
Toshiba Semiconductor and Storage
Описание:
PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR DTM
Упаковка:
Cut Tape (CT)
Состояние ROHS:
Да
Валюта:
-
PDF:
Данные
Характеристики
- Статус детали Active
- Тип монтажа Surface Mount
- Тип полевого транзистора N-Channel
- Технология MOSFET (Metal Oxide)
- Напряжение привода (Макс. Rds On, Мин. Rds On) 10V
- FET Особенности -
- Класс -
- Квалификация -
- Рабочая температура 150°C
- Напряжение сток-исток (Vdss) 600 V
- Vgs (макс.) ±30V
- Заряд затвора (Qg) (макс.) при Vgs 43 nC @ 10 V
- Рассеиваемая мощность (максимальная) 139W (Tc)
- Ток стока (Id) непрерывный при 25°C 15.8A (Ta)
- Входная емкость (Ciss) (макс.) при Vds 1350 pF @ 300 V
- Поставщик Устройство Корпус 4-DFN-EP (8x8)
- Корпус 4-VSFN Exposed Pad
- Vgs(th) (макс.) при Id 4.5V @ 790µA
- Rds On (Макс) @ Id, Vgs 245mOhm @ 7.9A, 10V