TK18A30D,S5X
Номер детали:
TK18A30D,S5X
Категория продукта:
Однополевые транзисторы, МОП-транзисторы
Производитель:
Toshiba Semiconductor and Storage
Описание:
PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR TO-
Упаковка:
Tube
Состояние ROHS:
Да
Валюта:
-
PDF:
Данные
Характеристики
- Тип монтажа Through Hole
- Статус детали Active
- Тип полевого транзистора N-Channel
- Технология MOSFET (Metal Oxide)
- Напряжение привода (Макс. Rds On, Мин. Rds On) 10V
- Vgs (макс.) ±20V
- FET Особенности -
- Класс -
- Квалификация -
- Рабочая температура 150°C
- Vgs(th) (макс.) при Id 3.5V @ 1mA
- Корпус TO-220-3 Full Pack
- Напряжение сток-исток (Vdss) 300 V
- Заряд затвора (Qg) (макс.) при Vgs 60 nC @ 10 V
- Рассеиваемая мощность (максимальная) 45W (Tc)
- Ток стока (Id) непрерывный при 25°C 18A (Ta)
- Поставщик Устройство Корпус TO-220SIS
- Входная емкость (Ciss) (макс.) при Vds 2600 pF @ 100 V
- Rds On (Макс) @ Id, Vgs 139mOhm @ 9A, 10V