TK2P90E,RQ
Номер детали:
TK2P90E,RQ
Категория продукта:
Однополевые транзисторы, МОП-транзисторы
Производитель:
Toshiba Semiconductor and Storage
Описание:
PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR DPA
Упаковка:
Cut Tape (CT)
Состояние ROHS:
Да
Валюта:
-
PDF:
Данные
Характеристики
- Статус детали Active
- Тип монтажа Surface Mount
- Тип полевого транзистора N-Channel
- Технология MOSFET (Metal Oxide)
- Напряжение привода (Макс. Rds On, Мин. Rds On) 10V
- FET Особенности -
- Класс -
- Квалификация -
- Рабочая температура 150°C
- Поставщик Устройство Корпус DPAK
- Корпус TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
- Заряд затвора (Qg) (макс.) при Vgs 12 nC @ 10 V
- Напряжение сток-исток (Vdss) 900 V
- Входная емкость (Ciss) (макс.) при Vds 500 pF @ 25 V
- Vgs (макс.) ±30V
- Ток стока (Id) непрерывный при 25°C 2A (Ta)
- Рассеиваемая мощность (максимальная) 80W (Tc)
- Vgs(th) (макс.) при Id 4V @ 200µA
- Rds On (Макс) @ Id, Vgs 5.9Ohm @ 1A, 10V