TK2R9E10PL,S1X

TK2R9E10PL,S1X

Номер детали: TK2R9E10PL,S1X
Категория продукта: Однополевые транзисторы, МОП-транзисторы
Производитель: Toshiba Semiconductor and Storage
Описание: PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR TO-
Упаковка: Tube
Состояние ROHS: Да
Валюта: -
PDF: Данные

Характеристики

  • Тип монтажа Through Hole
  • Статус детали Active
  • Тип полевого транзистора N-Channel
  • Технология MOSFET (Metal Oxide)
  • Напряжение сток-исток (Vdss) 100 V
  • Vgs (макс.) ±20V
  • FET Особенности -
  • Класс -
  • Квалификация -
  • Корпус TO-220-3
  • Поставщик Устройство Корпус TO-220
  • Vgs(th) (макс.) при Id 2.5V @ 1mA
  • Напряжение привода (Макс. Rds On, Мин. Rds On) 4.5V, 10V
  • Rds On (Макс) @ Id, Vgs 2.9mOhm @ 50A, 10V
  • Заряд затвора (Qg) (макс.) при Vgs 161 nC @ 10 V
  • Рассеиваемая мощность (максимальная) 306W (Tc)
  • Рабочая температура 175°C
  • Ток стока (Id) непрерывный при 25°C 100A (Ta)
  • Входная емкость (Ciss) (макс.) при Vds 9500 pF @ 50 V