TK62N60W5,S1VF
Номер детали:
TK62N60W5,S1VF
Категория продукта:
Однополевые транзисторы, МОП-транзисторы
Производитель:
Toshiba Semiconductor and Storage
Описание:
PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR TO-
Упаковка:
Tube
Состояние ROHS:
Да
Валюта:
-
PDF:
Данные
Характеристики
- Тип монтажа Through Hole
- Статус детали Active
- Тип полевого транзистора N-Channel
- Технология MOSFET (Metal Oxide)
- Напряжение привода (Макс. Rds On, Мин. Rds On) 10V
- FET Особенности -
- Класс -
- Квалификация -
- Рабочая температура 150°C
- Корпус TO-247-3
- Напряжение сток-исток (Vdss) 600 V
- Vgs (макс.) ±30V
- Рассеиваемая мощность (максимальная) 400W (Tc)
- Поставщик Устройство Корпус TO-247
- Заряд затвора (Qg) (макс.) при Vgs 205 nC @ 10 V
- Ток стока (Id) непрерывный при 25°C 61.8A (Ta)
- Входная емкость (Ciss) (макс.) при Vds 6500 pF @ 300 V
- Rds On (Макс) @ Id, Vgs 45mOhm @ 30.9A, 10V
- Vgs(th) (макс.) при Id 4.5V @ 3.1mA