TK9R7A15Q5,S4X
Номер детали:
TK9R7A15Q5,S4X
Категория продукта:
Однополевые транзисторы, МОП-транзисторы
Производитель:
Toshiba Semiconductor and Storage
Описание:
150V UMOS10-HSD TO-220SIS 9.7MOH
Упаковка:
Tube
Состояние ROHS:
Да
Валюта:
-
PDF:
Данные
Характеристики
- Тип монтажа Through Hole
- Статус детали Active
- Тип полевого транзистора N-Channel
- Технология MOSFET (Metal Oxide)
- Vgs (макс.) ±20V
- FET Особенности -
- Класс -
- Квалификация -
- Корпус TO-220-3 Full Pack
- Заряд затвора (Qg) (макс.) при Vgs 50 nC @ 10 V
- Напряжение сток-исток (Vdss) 150 V
- Рассеиваемая мощность (максимальная) 45W (Tc)
- Ток стока (Id) непрерывный при 25°C 49A (Tc)
- Поставщик Устройство Корпус TO-220SIS
- Напряжение привода (Макс. Rds On, Мин. Rds On) 8V, 10V
- Рабочая температура 175°C
- Vgs(th) (макс.) при Id 4.5V @ 1.1mA
- Rds On (Макс) @ Id, Vgs 9.7mOhm @ 24.5A, 10V
- Входная емкость (Ciss) (макс.) при Vds 3690 pF @ 75 V