TPC8208(TE12L,Q,M)
Номер детали:
TPC8208(TE12L,Q,M)
Категория продукта:
FET, массивы MOSFET
Производитель:
Toshiba Semiconductor and Storage
Описание:
MOSFET 2N-CH 20V 5A 8SOP
Упаковка:
Tape & Reel (TR)
Состояние ROHS:
Да
Валюта:
-
PDF:
Данные
Характеристики
- Статус детали Obsolete
- Тип монтажа Surface Mount
- Технология MOSFET (Metal Oxide)
- Рабочая температура 150°C (TJ)
- Напряжение сток-исток (Vdss) 20V
- Конфигурация 2 N-Channel (Dual)
- FET Особенности Logic Level Gate
- Ток стока (Id) непрерывный при 25°C 5A
- Корпус 8-SOIC (0.173", 4.40mm Width)
- Поставщик Устройство Корпус 8-SOP (5.5x6.0)
- Мощность - Максимальная 450mW
- Vgs(th) (макс.) при Id 1.2V @ 200µA
- Входная емкость (Ciss) (макс.) при Vds 780pF @ 10V
- Rds On (Макс) @ Id, Vgs 50mOhm @ 2.5A, 4V
- Заряд затвора (Qg) (макс.) при Vgs 9.5nC @ 5V