TPH2R306PL1,LQ
Номер детали:
TPH2R306PL1,LQ
Категория продукта:
Однополевые транзисторы, МОП-транзисторы
Производитель:
Toshiba Semiconductor and Storage
Описание:
60V UMOS9-H SOP ADVANCE(N) 2.3MO
Упаковка:
Tape & Reel (TR)
Состояние ROHS:
Да
Валюта:
-
PDF:
Данные
Характеристики
- Статус детали Active
- Тип монтажа Surface Mount
- Тип полевого транзистора N-Channel
- Технология MOSFET (Metal Oxide)
- Vgs (макс.) ±20V
- FET Особенности -
- Класс -
- Квалификация -
- Напряжение сток-исток (Vdss) 60 V
- Напряжение привода (Макс. Rds On, Мин. Rds On) 4.5V, 10V
- Заряд затвора (Qg) (макс.) при Vgs 60 nC @ 10 V
- Корпус 8-PowerTDFN
- Рабочая температура 175°C
- Rds On (Макс) @ Id, Vgs 2.3mOhm @ 50A, 10V
- Vgs(th) (макс.) при Id 2.5V @ 500µA
- Входная емкость (Ciss) (макс.) при Vds 5435 pF @ 30 V
- Поставщик Устройство Корпус 8-SOP Advance (5x5.75)
- Рассеиваемая мощность (максимальная) 3W (Ta), 170W (Tc)
- Ток стока (Id) непрерывный при 25°C 190A (Ta), 100A (Tc)