TPH5R60APL,L1Q
Номер детали:
TPH5R60APL,L1Q
Категория продукта:
Однополевые транзисторы, МОП-транзисторы
Производитель:
Toshiba Semiconductor and Storage
Описание:
PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR N-C
Упаковка:
Cut Tape (CT)
Состояние ROHS:
Да
Валюта:
-
PDF:
Данные
Характеристики
- Статус детали Active
- Тип монтажа Surface Mount
- Тип полевого транзистора N-Channel
- Технология MOSFET (Metal Oxide)
- Напряжение сток-исток (Vdss) 100 V
- Vgs (макс.) ±20V
- FET Особенности -
- Класс -
- Квалификация -
- Напряжение привода (Макс. Rds On, Мин. Rds On) 4.5V, 10V
- Заряд затвора (Qg) (макс.) при Vgs 52 nC @ 10 V
- Ток стока (Id) непрерывный при 25°C 60A (Tc)
- Корпус 8-PowerVDFN
- Поставщик Устройство Корпус 8-SOP Advance (5x5)
- Входная емкость (Ciss) (макс.) при Vds 4300 pF @ 50 V
- Рабочая температура 175°C
- Rds On (Макс) @ Id, Vgs 5.6mOhm @ 30A, 10V
- Vgs(th) (макс.) при Id 2.5V @ 500µA
- Рассеиваемая мощность (максимальная) 960mW (Ta), 132W (Tc)