TPM7R10CQ5,LQ
Номер детали:
TPM7R10CQ5,LQ
Категория продукта:
Однополевые транзисторы, МОП-транзисторы
Производитель:
Toshiba Semiconductor and Storage
Описание:
N-CH MOSFET, 150 V, 0.0071 @10V,
Упаковка:
Cut Tape (CT)
Состояние ROHS:
Да
Валюта:
-
PDF:
Данные
Характеристики
- Статус детали Active
- Тип монтажа Surface Mount
- Тип полевого транзистора N-Channel
- Технология MOSFET (Metal Oxide)
- Vgs (макс.) ±20V
- FET Особенности -
- Класс -
- Квалификация -
- Напряжение сток-исток (Vdss) 150 V
- Заряд затвора (Qg) (макс.) при Vgs 57 nC @ 10 V
- Корпус 8-PowerTDFN
- Напряжение привода (Макс. Rds On, Мин. Rds On) 8V, 10V
- Рабочая температура 175°C
- Vgs(th) (макс.) при Id 4.5V @ 1.2mA
- Рассеиваемая мощность (максимальная) 3W (Ta), 250W (Tc)
- Ток стока (Id) непрерывный при 25°C 13A (Ta), 120A (Tc)
- Rds On (Макс) @ Id, Vgs 7.1mOhm @ 35A, 10V
- Входная емкость (Ciss) (макс.) при Vds 6800 pF @ 75 V
- Поставщик Устройство Корпус 8-SOP Advance (4.9x5.75)