TPW2R508NH,L1Q

TPW2R508NH,L1Q

Номер детали: TPW2R508NH,L1Q
Категория продукта: Однополевые транзисторы, МОП-транзисторы
Производитель: Toshiba Semiconductor and Storage
Описание: PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR DOS
Упаковка: Cut Tape (CT)
Состояние ROHS: Да
Валюта: -
PDF: Данные

Характеристики

  • Статус детали Active
  • Тип монтажа Surface Mount
  • Тип полевого транзистора N-Channel
  • Технология MOSFET (Metal Oxide)
  • Напряжение привода (Макс. Rds On, Мин. Rds On) 10V
  • Vgs (макс.) ±20V
  • FET Особенности -
  • Класс -
  • Квалификация -
  • Рабочая температура 150°C
  • Напряжение сток-исток (Vdss) 75 V
  • Заряд затвора (Qg) (макс.) при Vgs 72 nC @ 10 V
  • Vgs(th) (макс.) при Id 4V @ 1mA
  • Корпус 8-PowerVDFN
  • Rds On (Макс) @ Id, Vgs 2.5mOhm @ 50A, 10V
  • Ток стока (Id) непрерывный при 25°C 150A (Ta)
  • Рассеиваемая мощность (максимальная) 800mW (Ta), 142W (Tc)
  • Поставщик Устройство Корпус 8-DSOP Advance
  • Входная емкость (Ciss) (макс.) при Vds 6000 pF @ 37.5 V