TPW3R70APL,L1Q

TPW3R70APL,L1Q

Номер детали: TPW3R70APL,L1Q
Производитель: Toshiba Semiconductor and Storage
Описание: PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR DSO
Упаковка: Cut Tape (CT)
Состояние ROHS: Да
Валюта: -

Характеристики

  • Статус детали Active
  • Тип монтажа Surface Mount
  • Тип полевого транзистора N-Channel
  • Технология MOSFET (Metal Oxide)
  • Напряжение сток-исток (Vdss) 100 V
  • Vgs (макс.) ±20V
  • FET Особенности -
  • Класс -
  • Квалификация -
  • Vgs(th) (макс.) при Id 2.5V @ 1mA
  • Напряжение привода (Макс. Rds On, Мин. Rds On) 4.5V, 10V
  • Заряд затвора (Qg) (макс.) при Vgs 67 nC @ 10 V
  • Ток стока (Id) непрерывный при 25°C 90A (Tc)
  • Корпус 8-PowerVDFN
  • Рабочая температура 175°C
  • Поставщик Устройство Корпус 8-DSOP Advance
  • Рассеиваемая мощность (максимальная) 960mW (Ta), 170W (Tc)
  • Входная емкость (Ciss) (макс.) при Vds 6300 pF @ 50 V
  • Rds On (Макс) @ Id, Vgs 3.7mOhm @ 45A, 10V