TQM130NB04CV RGG
Номер детали:
TQM130NB04CV RGG
Категория продукта:
Однополевые транзисторы, МОП-транзисторы
Производитель:
Taiwan Semiconductor Corporation
Описание:
MOSFET
Упаковка:
Cut Tape (CT)
Состояние ROHS:
Да
Валюта:
-
PDF:
Данные
Характеристики
- Статус детали Active
- Тип монтажа Surface Mount
- Тип полевого транзистора N-Channel
- Технология MOSFET (Metal Oxide)
- Vgs (макс.) ±20V
- FET Особенности -
- Рабочая температура -55°C ~ 150°C (TJ)
- Класс Automotive
- Квалификация AEC-Q101
- Заряд затвора (Qg) (макс.) при Vgs 18 nC @ 10 V
- Ток стока (Id) непрерывный при 25°C 38A (Tc)
- Напряжение сток-исток (Vdss) 40 V
- Напряжение привода (Макс. Rds On, Мин. Rds On) 7V, 10V
- Корпус 8-PowerWDFN
- Rds On (Макс) @ Id, Vgs 13mOhm @ 19A, 10V
- Vgs(th) (макс.) при Id 3.8V @ 250µA
- Рассеиваемая мощность (максимальная) 2.4W (Ta), 35W (Tc)
- Поставщик Устройство Корпус 8-PDFN (3.15x3.1)
- Входная емкость (Ciss) (макс.) при Vds 994 pF @ 20 V