TRS10V65H,LQ
Номер детали:
TRS10V65H,LQ
Категория продукта:
Типы выпрямительных диодов
Производитель:
Toshiba Semiconductor and Storage
Описание:
DIODE SIL CARB 650V 10A 4DFNEP
Упаковка:
Cut Tape (CT)
Состояние ROHS:
Да
Валюта:
-
PDF:
Данные
Характеристики
- Статус детали Active
- Тип монтажа Surface Mount
- Ток - Средний выпрямленный (Io) 10A
- Технология SiC (Silicon Carbide) Schottky
- Скорость No Recovery Time > 500mA (Io)
- Время обратного восстановления (trr) 0 ns
- Напряжение - постоянное обратное (Vr) (макс.) 650 V
- Ток - Обратная утечка при Vr 100 µA @ 650 V
- Напряжение - прямое (Vf) (макс.) при If 1.35 V @ 10 A
- Поставщик Устройство Корпус 4-DFN-EP (8x8)
- Корпус 4-VSFN Exposed Pad
- Рабочая температура - переход 175°C
- Емкость при Vr, Ф 649pF @ 1V, 1MHz