TSM60NE048PW C0G
Номер детали:
TSM60NE048PW C0G
Категория продукта:
Однополевые транзисторы, МОП-транзисторы
Производитель:
Taiwan Semiconductor Corporation
Описание:
MOSFET
Упаковка:
Tube
Состояние ROHS:
Да
Валюта:
-
PDF:
Данные
Характеристики
- Тип монтажа Through Hole
- Статус детали Active
- Тип полевого транзистора N-Channel
- Технология MOSFET (Metal Oxide)
- FET Особенности -
- Класс -
- Квалификация -
- Рабочая температура -55°C ~ 150°C (TJ)
- Корпус TO-247-3
- Напряжение сток-исток (Vdss) 600 V
- Ток стока (Id) непрерывный при 25°C 61A (Tc)
- Vgs (макс.) ±30V
- Заряд затвора (Qg) (макс.) при Vgs 114 nC @ 10 V
- Поставщик Устройство Корпус TO-247
- Рассеиваемая мощность (максимальная) 431W (Tc)
- Напряжение привода (Макс. Rds On, Мин. Rds On) 10V, 12V
- Vgs(th) (макс.) при Id 6V @ 4.6mA
- Rds On (Макс) @ Id, Vgs 44mOhm @ 20A, 12V
- Входная емкость (Ciss) (макс.) при Vds 5023 pF @ 300 V