TT8J11TCR
Номер детали:
TT8J11TCR
Категория продукта:
FET, массивы MOSFET
Производитель:
ROHM Semiconductor
Описание:
MOSFET 2P-CH 12V 3.5A 8TSST
Упаковка:
Tape & Reel (TR)
Состояние ROHS:
Да
Валюта:
-
PDF:
Данные
Характеристики
- Статус детали Obsolete
- Тип монтажа Surface Mount
- Технология MOSFET (Metal Oxide)
- Рабочая температура 150°C (TJ)
- Конфигурация 2 P-Channel (Dual)
- Ток стока (Id) непрерывный при 25°C 3.5A
- Заряд затвора (Qg) (макс.) при Vgs 22nC @ 4.5V
- Напряжение сток-исток (Vdss) 12V
- Корпус 8-SMD, Flat Leads
- Vgs(th) (макс.) при Id 1V @ 1mA
- Мощность - Максимальная 650mW
- Rds On (Макс) @ Id, Vgs 43mOhm @ 3.5A, 4.5V
- Поставщик Устройство Корпус 8-TSST
- FET Особенности Logic Level Gate, 1.5V Drive
- Входная емкость (Ciss) (макс.) при Vds 2600pF @ 6V