TTD1409B,S4X

TTD1409B,S4X

Номер детали: TTD1409B,S4X
Производитель: Toshiba Semiconductor and Storage
Описание: TRANS NPN DARL 400V 6A TO-220SIS
Упаковка: Tube
Состояние ROHS: Да
Валюта: -

Характеристики

  • Тип монтажа Through Hole
  • Статус детали Active
  • Частота - Переход -
  • Мощность - Максимальная 2 W
  • Тип транзистора NPN - Darlington
  • Рабочая температура 150°C (TJ)
  • Ток коллектора (Ic) (макс.) 6 A
  • Напряжение - Пробой коллектор-эмиттер (Макс.) 400 V
  • Корпус TO-220-3 Full Pack
  • Поставщик Устройство Корпус TO-220SIS
  • Ток отсечки коллектора (макс.) 20µA (ICBO)
  • Насыщение Vce (макс.) при Ib, Ic 2V @ 40mA, 4A
  • Коэффициент усиления по постоянному току (hFE) (мин) @ Ic, Vce 600 @ 2A, 2V