UM6J1NTN
Номер детали:
UM6J1NTN
Категория продукта:
FET, массивы MOSFET
Производитель:
ROHM Semiconductor
Описание:
MOSFET 2P-CH 30V 0.2A UMT6
Упаковка:
Cut Tape (CT)
Состояние ROHS:
Да
Валюта:
-
Характеристики
- Статус детали Active
- Тип монтажа Surface Mount
- Технология MOSFET (Metal Oxide)
- Рабочая температура 150°C (TJ)
- Vgs(th) (макс.) при Id 2.5V @ 1mA
- FET Особенности Logic Level Gate
- Заряд затвора (Qg) (макс.) при Vgs -
- Конфигурация 2 P-Channel (Dual)
- Напряжение сток-исток (Vdss) 30V
- Мощность - Максимальная 150mW
- Корпус 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
- Ток стока (Id) непрерывный при 25°C 200mA
- Поставщик Устройство Корпус UMT6
- Rds On (Макс) @ Id, Vgs 1.4Ohm @ 200mA, 10V
- Входная емкость (Ciss) (макс.) при Vds 30pF @ 10V