XP10N3R5XT
Номер детали:
XP10N3R5XT
Категория продукта:
Однополевые транзисторы, МОП-транзисторы
Производитель:
YAGEO XSemi
Описание:
FET N-CH 100V 28.5A 100A PMPAK
Упаковка:
Cut Tape (CT)
Состояние ROHS:
Да
Валюта:
-
PDF:
Данные
Характеристики
- Статус детали Active
- Тип монтажа Surface Mount
- Тип полевого транзистора N-Channel
- Технология MOSFET (Metal Oxide)
- Напряжение сток-исток (Vdss) 100 V
- Напряжение привода (Макс. Rds On, Мин. Rds On) 10V
- Vgs(th) (макс.) при Id 4V @ 250µA
- Vgs (макс.) ±20V
- FET Особенности -
- Класс -
- Квалификация -
- Рабочая температура -55°C ~ 150°C (TJ)
- Rds On (Макс) @ Id, Vgs 3.5mOhm @ 20A, 10V
- Корпус 8-PowerLDFN
- Поставщик Устройство Корпус PMPAK® 5 x 6
- Ток стока (Id) непрерывный при 25°C 28.5A (Ta), 100A (Tc)
- Заряд затвора (Qg) (макс.) при Vgs 134.4 nC @ 10 V
- Входная емкость (Ciss) (макс.) при Vds 6480 pF @ 80 V
- Рассеиваемая мощность (максимальная) 5W (Ta), 125W (Tc)