XP10NA011H
Номер детали:
XP10NA011H
Категория продукта:
Однополевые транзисторы, МОП-транзисторы
Производитель:
YAGEO XSemi
Описание:
MOSFET N-CH 100V 48.5A TO252
Упаковка:
Cut Tape (CT)
Состояние ROHS:
Да
Валюта:
-
PDF:
Данные
Характеристики
- Статус детали Active
- Тип монтажа Surface Mount
- Тип полевого транзистора N-Channel
- Технология MOSFET (Metal Oxide)
- Напряжение сток-исток (Vdss) 100 V
- Vgs(th) (макс.) при Id 4V @ 250µA
- Vgs (макс.) ±20V
- FET Особенности -
- Класс -
- Квалификация -
- Рабочая температура -55°C ~ 150°C (TJ)
- Корпус TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
- Заряд затвора (Qg) (макс.) при Vgs 56 nC @ 10 V
- Напряжение привода (Макс. Rds On, Мин. Rds On) 6V, 10V
- Поставщик Устройство Корпус TO-252
- Рассеиваемая мощность (максимальная) 2W (Ta), 50W (Tc)
- Rds On (Макс) @ Id, Vgs 11mOhm @ 30A, 10V
- Ток стока (Id) непрерывный при 25°C 48.5A (Tc)
- Входная емкость (Ciss) (макс.) при Vds 2288 pF @ 80 V