XP3N5R0YT
Номер детали:
XP3N5R0YT
Категория продукта:
Однополевые транзисторы, МОП-транзисторы
Производитель:
YAGEO XSemi
Описание:
MOSFET N CH 30V 19.5A PMPAK3X3
Упаковка:
Tape & Reel (TR)
Состояние ROHS:
Да
Валюта:
-
PDF:
Данные
Характеристики
- Статус детали Active
- Тип монтажа Surface Mount
- Тип полевого транзистора N-Channel
- Технология MOSFET (Metal Oxide)
- Vgs (макс.) ±20V
- FET Особенности -
- Класс -
- Квалификация -
- Рабочая температура -55°C ~ 150°C (TJ)
- Напряжение привода (Макс. Rds On, Мин. Rds On) 4.5V, 10V
- Напряжение сток-исток (Vdss) 30 V
- Vgs(th) (макс.) при Id 2.3V @ 250µA
- Rds On (Макс) @ Id, Vgs 5mOhm @ 19A, 10V
- Корпус 8-PowerTDFN
- Заряд затвора (Qg) (макс.) при Vgs 35.2 nC @ 4.5 V
- Рассеиваемая мощность (максимальная) 3.12W (Ta)
- Поставщик Устройство Корпус 8-PMPAK (3x3)
- Входная емкость (Ciss) (макс.) при Vds 3040 pF @ 15 V
- Ток стока (Id) непрерывный при 25°C 19.5A (Ta), 40A (Tc)