XP3P050AM
Номер детали:
XP3P050AM
Категория продукта:
Однополевые транзисторы, МОП-транзисторы
Производитель:
YAGEO XSemi
Описание:
MOSFET P-CH 30V 5.8A 8SO
Упаковка:
Cut Tape (CT)
Состояние ROHS:
Да
Валюта:
-
PDF:
Данные
Характеристики
- Статус детали Active
- Тип монтажа Surface Mount
- Корпус 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
- Поставщик Устройство Корпус 8-SO
- Технология MOSFET (Metal Oxide)
- Vgs (макс.) ±20V
- FET Особенности -
- Класс -
- Квалификация -
- Рабочая температура -55°C ~ 150°C (TJ)
- Тип полевого транзистора P-Channel
- Напряжение привода (Макс. Rds On, Мин. Rds On) 4.5V, 10V
- Рассеиваемая мощность (максимальная) 2.5W (Ta)
- Vgs(th) (макс.) при Id 3V @ 250µA
- Напряжение сток-исток (Vdss) 30 V
- Ток стока (Id) непрерывный при 25°C 5.8A (Ta)
- Rds On (Макс) @ Id, Vgs 50mOhm @ 5A, 10V
- Заряд затвора (Qg) (макс.) при Vgs 10.7 nC @ 4.5 V
- Входная емкость (Ciss) (макс.) при Vds 960 pF @ 15 V