XP4N4R2MT
Номер детали:
XP4N4R2MT
Категория продукта:
Однополевые транзисторы, МОП-транзисторы
Производитель:
YAGEO XSemi
Описание:
MOSFET N CH 40V 20.7A PMPAK5X6
Упаковка:
Tape & Reel (TR)
Состояние ROHS:
Да
Валюта:
-
PDF:
Данные
Характеристики
- Статус детали Active
- Тип монтажа Surface Mount
- Тип полевого транзистора N-Channel
- Технология MOSFET (Metal Oxide)
- Vgs (макс.) ±20V
- FET Особенности -
- Класс -
- Квалификация -
- Рабочая температура -55°C ~ 150°C (TJ)
- Напряжение привода (Макс. Rds On, Мин. Rds On) 4.5V, 10V
- Vgs(th) (макс.) при Id 3V @ 250µA
- Напряжение сток-исток (Vdss) 40 V
- Rds On (Макс) @ Id, Vgs 4.2mOhm @ 20A, 10V
- Корпус 8-PowerLDFN
- Рассеиваемая мощность (максимальная) 5W (Ta), 52W (Tc)
- Поставщик Устройство Корпус 8-PMPAK (5x6)
- Ток стока (Id) непрерывный при 25°C 25.8A (Ta), 60A (Tc)
- Заряд затвора (Qg) (макс.) при Vgs 41.6 nC @ 4.5 V
- Входная емкость (Ciss) (макс.) при Vds 4400 pF @ 20 V