XPJR6604PB,LXHQ
Номер детали:
XPJR6604PB,LXHQ
Категория продукта:
Однополевые транзисторы, МОП-транзисторы
Производитель:
Toshiba Semiconductor and Storage
Описание:
40V; UMOS9; 0.66MOHM; S-TOGL
Упаковка:
Cut Tape (CT)
Состояние ROHS:
Да
Валюта:
-
PDF:
Данные
Характеристики
- Статус детали Active
- Тип монтажа Surface Mount
- Тип полевого транзистора N-Channel
- Технология MOSFET (Metal Oxide)
- Vgs (макс.) ±20V
- FET Особенности -
- Класс Automotive
- Квалификация AEC-Q101
- Vgs(th) (макс.) при Id 3V @ 1mA
- Напряжение сток-исток (Vdss) 40 V
- Напряжение привода (Макс. Rds On, Мин. Rds On) 6V, 10V
- Заряд затвора (Qg) (макс.) при Vgs 128 nC @ 10 V
- Рассеиваемая мощность (максимальная) 375W (Tc)
- Рабочая температура 175°C
- Ток стока (Id) непрерывный при 25°C 200A (Ta)
- Корпус 5-PowerSFN
- Rds On (Макс) @ Id, Vgs 0.66mOhm @ 100A, 10V
- Входная емкость (Ciss) (макс.) при Vds 11380 pF @ 10 V
- Поставщик Устройство Корпус S-TOGL™