XPQ1R004PB,LXHQ

XPQ1R004PB,LXHQ

Номер детали: XPQ1R004PB,LXHQ
Производитель: Toshiba Semiconductor and Storage
Описание: 40V U-MOS IX-H L-TOGL 1.0MOHM
Упаковка: Cut Tape (CT)
Состояние ROHS: Да
Валюта: -

Характеристики

  • Статус детали Active
  • Тип монтажа Surface Mount
  • Тип полевого транзистора N-Channel
  • Технология MOSFET (Metal Oxide)
  • Vgs (макс.) ±20V
  • FET Особенности -
  • Класс Automotive
  • Квалификация AEC-Q101
  • Рассеиваемая мощность (максимальная) 230W (Tc)
  • Заряд затвора (Qg) (макс.) при Vgs 84 nC @ 10 V
  • Напряжение сток-исток (Vdss) 40 V
  • Напряжение привода (Макс. Rds On, Мин. Rds On) 6V, 10V
  • Рабочая температура 175°C
  • Rds On (Макс) @ Id, Vgs 1mOhm @ 100A, 10V
  • Ток стока (Id) непрерывный при 25°C 200A (Ta)
  • Vgs(th) (макс.) при Id 3V @ 500µA
  • Корпус 8-PowerBSFN
  • Входная емкость (Ciss) (макс.) при Vds 6890 pF @ 10 V
  • Поставщик Устройство Корпус L-TOGL™