XPQ1R00AQB,LXHQ
Номер детали:
XPQ1R00AQB,LXHQ
Категория продукта:
Однополевые транзисторы, МОП-транзисторы
Производитель:
Toshiba Semiconductor and Storage
Описание:
100V UMOS10 L-TOGL 1.03MOHM
Упаковка:
Cut Tape (CT)
Состояние ROHS:
Да
Валюта:
-
PDF:
Данные
Характеристики
- Статус детали Active
- Тип монтажа Surface Mount
- Тип полевого транзистора N-Channel
- Технология MOSFET (Metal Oxide)
- Напряжение сток-исток (Vdss) 100 V
- Vgs (макс.) ±20V
- FET Особенности -
- Класс Automotive
- Квалификация AEC-Q101
- Напряжение привода (Макс. Rds On, Мин. Rds On) 6V, 10V
- Рассеиваемая мощность (максимальная) 750W (Tc)
- Рабочая температура 175°C
- Vgs(th) (макс.) при Id 3.5V @ 1.5mA
- Корпус 8-PowerBSFN
- Поставщик Устройство Корпус L-TOGL™
- Ток стока (Id) непрерывный при 25°C 300A (Ta)
- Rds On (Макс) @ Id, Vgs 1.03mOhm @ 150A, 10V
- Заряд затвора (Qg) (макс.) при Vgs 269 nC @ 10 V
- Входная емкость (Ciss) (макс.) при Vds 21450 pF @ 10 V