XPQR8308QB,LXHQ
Номер детали:
XPQR8308QB,LXHQ
Категория продукта:
Однополевые транзисторы, МОП-транзисторы
Производитель:
Toshiba Semiconductor and Storage
Описание:
80V UMOS10 L-TOGL 0.83MOHM
Упаковка:
Cut Tape (CT)
Состояние ROHS:
Да
Валюта:
-
PDF:
Данные
Характеристики
- Статус детали Active
- Тип монтажа Surface Mount
- Тип полевого транзистора N-Channel
- Технология MOSFET (Metal Oxide)
- Vgs (макс.) ±20V
- FET Особенности -
- Класс Automotive
- Квалификация AEC-Q101
- Напряжение привода (Макс. Rds On, Мин. Rds On) 6V, 10V
- Напряжение сток-исток (Vdss) 80 V
- Рассеиваемая мощность (максимальная) 750W (Tc)
- Заряд затвора (Qg) (макс.) при Vgs 305 nC @ 10 V
- Рабочая температура 175°C
- Корпус 8-PowerBSFN
- Поставщик Устройство Корпус L-TOGL™
- Ток стока (Id) непрерывный при 25°C 350A (Ta)
- Rds On (Макс) @ Id, Vgs 0.83mOhm @ 175A, 10V
- Vgs(th) (макс.) при Id 3.5V @ 3.2mA
- Входная емкость (Ciss) (макс.) при Vds 24700 pF @ 10 V