2N7000
零件编号：
2N7000
产品分类：
单管场效应晶体管、金属氧化物半导体场效应晶体管
制造商：
Jameco Electronics
描述：
Transistor 2N7000 MOSFET N Chann
包装：
Bulk
ROHS状态：
Yes
货币：
-
规格
- 安装类型 Through Hole
- 零件状态 Active
- 场效应晶体管类型 N-Channel
- 技术 MOSFET (Metal Oxide)
- 最大栅源电压 ±20V
- 场效应晶体管特性 -
- 等级 -
- 认证 -
- 工作温度 -55°C ~ 150°C (TJ)
- 漏极至源极电压 (Vdss) 60 V
- 输入电容 (Ciss) (最大值) @ Vds 50 pF @ 25 V
- Vgs(th) (Max) @ Id 阈值电压（最大值）@ 漏极电流 3V @ 1mA
- 导通电阻（最大值）@漏极电流，栅源电压 5Ohm @ 500mA, 10V
- 连续漏极电流 (Id) @ 25°C 200mA (Ta)
- 驱动电压（最大导通电阻，最小导通电阻） 4.5V, 10V
- 最大功耗 400mW (Ta)