A2G35S200-01SR3
零件编号：
A2G35S200-01SR3
产品分类：
射频场效应晶体管，金属氧化物半导体场效应晶体管
制造商：
NXP USA Inc.
描述：
RF MOSFET GAN HEMT 48V NI400
包装：
Cut Tape (CT)
ROHS状态：
Yes
货币：
-
PDF：
资料
规格
- 零件状态 Obsolete
- 安装类型 Surface Mount
- 额定电流（安培） -
- 噪声系数 -
- 额定电压 125 V
- 增益 16.1dB
- 功率 - 输出 180W
- 频率 3.4GHz ~ 3.6GHz
- 电压 - 测试 48 V
- 技术 GaN HEMT
- 封装 / 外壳 NI-400S-2S
- 供应商器件封装 NI-400S-2S
- 电流 - 测试 291 mA