A2T18H450W19SR6
零件编号：
A2T18H450W19SR6
产品分类：
射频场效应晶体管，金属氧化物半导体场效应晶体管
制造商：
NXP USA Inc.
描述：
RF MOSFET LDMOS NI1230
包装：
Tape & Reel (TR)
ROHS状态：
Yes
货币：
-
PDF：
资料
规格
- 零件状态 Obsolete
- 安装类型 Chassis Mount
- 额定电流（安培） -
- 噪声系数 -
- 增益 16.5dB
- 额定电压 30 V
- 技术 LDMOS
- 频率 1.805GHz ~ 1.88GHz
- 功率 - 输出 89W
- 封装 / 外壳 NI-1230S-4S4S
- 供应商器件封装 NI-1230S-4S4S