A2T21H360-23NR6
零件编号：
A2T21H360-23NR6
产品分类：
射频场效应晶体管，金属氧化物半导体场效应晶体管
制造商：
NXP USA Inc.
描述：
RF MOSFET LDMOS 28V OM1230-42
包装：
Tape & Reel (TR)
ROHS状态：
Yes
货币：
-
PDF：
资料
规格
- 零件状态 Obsolete
- 噪声系数 -
- 技术 LDMOS
- 额定电压 65 V
- 电压 - 测试 28 V
- 电流 - 测试 500 mA
- 额定电流（安培） 10µA
- 配置 Dual
- 增益 16.8dB
- 封装 / 外壳 OM-1230-4L2L
- 供应商器件封装 OM-1230-4L2L
- 频率 2.11GHz ~ 2.2GHz
- 功率 - 输出 373W