A2V07H400-04NR3
零件编号：
A2V07H400-04NR3
产品分类：
射频场效应晶体管，金属氧化物半导体场效应晶体管
制造商：
NXP USA Inc.
描述：
RF MOSFET LDMOS 48V OM780G-4
包装：
Tape & Reel (TR)
ROHS状态：
Yes
货币：
-
PDF：
资料
规格
- 零件状态 Active
- 安装类型 Surface Mount
- 噪声系数 -
- 技术 LDMOS
- 电流 - 测试 700 mA
- 额定电流（安培） 10µA
- 配置 Dual
- 增益 19.9dB
- 电压 - 测试 48 V
- 功率 - 输出 267W
- 封装 / 外壳 OM-780G-4L
- 供应商器件封装 OM-780G-4L
- 额定电压 105 V
- 频率 595MHz ~ 851MHz