A3G26H502W17SR3
零件编号：
A3G26H502W17SR3
产品分类：
射频场效应晶体管，金属氧化物半导体场效应晶体管
制造商：
NXP USA Inc.
描述：
RF MOSFET GAN 48V NI780
包装：
Tape & Reel (TR)
ROHS状态：
Yes
货币：
-
规格
- 零件状态 Obsolete
- 安装类型 Chassis Mount
- 额定电流（安培） -
- 噪声系数 -
- 额定电压 125 V
- 增益 13.1dB
- 功率 - 输出 80W
- 电压 - 测试 48 V
- 技术 GaN
- 频率 2.496GHz ~ 2.69GHz
- 电流 - 测试 370 mA
- 配置 2 N-Channel
- 封装 / 外壳 NI-780-4S2S
- 供应商器件封装 NI-780-4S2S