A5G18H610W19NR3
零件编号：
A5G18H610W19NR3
产品分类：
射频场效应晶体管，金属氧化物半导体场效应晶体管
制造商：
NXP USA Inc.
描述：
A5G18H610W19NR3
包装：
Bulk
ROHS状态：
Yes
货币：
-
PDF：
资料
规格
- 零件状态 Active
- 安装类型 Surface Mount
- 等级 -
- 认证 -
- 额定电流（安培） -
- 配置 -
- 噪声系数 -
- 增益 16.6dB
- 额定电压 125 V
- 电流 - 测试 300 mA
- 频率 1.805GHz ~ 1.88GHz
- 功率 - 输出 85W
- 电压 - 测试 48 V
- 技术 GaN
- 封装 / 外壳 OM-780-4S4S
- 供应商器件封装 OM-780-4S4S