A5G35H120NT2
零件编号：
A5G35H120NT2
产品分类：
射频场效应晶体管，金属氧化物半导体场效应晶体管
制造商：
NXP USA Inc.
描述：
RF MOSFET GAN 48V 10DFN
包装：
Tape & Reel (TR)
ROHS状态：
Yes
货币：
-
PDF：
资料
规格
- 零件状态 Active
- 安装类型 Surface Mount
- 额定电流（安培） -
- 配置 -
- 噪声系数 -
- 额定电压 125 V
- 功率 - 输出 18W
- 增益 14.1dB
- 电流 - 测试 70 mA
- 电压 - 测试 48 V
- 频率 3.3GHz ~ 3.7GHz
- 技术 GaN
- 封装 / 外壳 10-PowerLDFN
- 供应商器件封装 10-DFN (7x10)