AFT05MS006NT1
零件编号：
AFT05MS006NT1
产品分类：
射频场效应晶体管，金属氧化物半导体场效应晶体管
制造商：
NXP USA Inc.
描述：
RF MOSFET LDMOS 7.5V PLD-1.5W
包装：
Cut Tape (CT)
ROHS状态：
Yes
货币：
-
PDF：
资料
规格
- 安装类型 Surface Mount
- 零件状态 Not For New Designs
- 额定电流（安培） -
- 噪声系数 -
- 增益 18.3dB
- 额定电压 30 V
- 技术 LDMOS
- 电流 - 测试 100 mA
- 功率 - 输出 6W
- 电压 - 测试 7.5 V
- 频率 520MHz
- 封装 / 外壳 PLD-1.5W
- 供应商器件封装 PLD-1.5W