AFT23H200-4S2LR6
零件编号：
AFT23H200-4S2LR6
产品分类：
射频场效应晶体管，金属氧化物半导体场效应晶体管
制造商：
NXP USA Inc.
描述：
RF MOSFET LDMOS 28V NI1230
包装：
Tape & Reel (TR)
ROHS状态：
Yes
货币：
-
规格
- 零件状态 Obsolete
- 安装类型 Chassis Mount
- 额定电流（安培） -
- 噪声系数 -
- 技术 LDMOS
- 功率 - 输出 45W
- 额定电压 65 V
- 电压 - 测试 28 V
- 电流 - 测试 500 mA
- 频率 2.3GHz
- 配置 Dual
- 增益 15.3dB
- 封装 / 外壳 NI-1230-4LS2L
- 供应商器件封装 NI-1230-4LS2L