AMB410N
零件编号：
AMB410N
产品分类：
单管场效应晶体管、金属氧化物半导体场效应晶体管
制造商：
Analog Power Inc.
描述：
MOSFET N-CH 100V 5.2A DFN1.6X1.6
包装：
Bulk
ROHS状态：
Yes
货币：
-
规格
- 零件状态 Active
- 安装类型 Surface Mount
- 场效应晶体管类型 N-Channel
- 技术 MOSFET (Metal Oxide)
- 漏极至源极电压 (Vdss) 100 V
- 最大栅源电压 ±20V
- 场效应晶体管特性 -
- 等级 -
- 认证 -
- 工作温度 -55°C ~ 150°C (TJ)
- 驱动电压（最大导通电阻，最小导通电阻） 4.5V, 10V
- Vgs(th) (Max) @ Id 阈值电压（最大值）@ 漏极电流 1V @ 250µA
- 导通电阻（最大值）@漏极电流，栅源电压 250mOhm @ 1A, 10V
- 栅极电荷 (Qg) (最大值) @ Vgs 5 nC @ 4.5 V
- 封装 / 外壳 6-PowerUFDFN
- 供应商器件封装 6-DFN (1.6x1.6)
- 输入电容 (Ciss) (最大值) @ Vds 509 pF @ 15 V
- 连续漏极电流 (Id) @ 25°C 2.2A (Ta), 5.2A (Tc)
- 最大功耗 1.8W (Ta), 9.9W (Tc)