APTC90DDA12T1G
零件编号：
APTC90DDA12T1G
产品分类：
场效应晶体管，MOSFET 阵列
制造商：
Microsemi Corporation
描述：
MOSFET 2N-CH 900V 30A SP1
包装：
Tray
ROHS状态：
Yes
货币：
-
PDF：
资料
规格
- 零件状态 Obsolete
- 安装类型 Chassis Mount
- 技术 MOSFET (Metal Oxide)
- 场效应晶体管特性 -
- 工作温度 -40°C ~ 150°C (TJ)
- Vgs(th) (Max) @ Id 阈值电压（最大值）@ 漏极电流 3.5V @ 3mA
- 栅极电荷 (Qg) (最大值) @ Vgs 270nC @ 10V
- 漏极至源极电压 (Vdss) 900V
- 封装 / 外壳 SP1
- 供应商器件封装 SP1
- 最大功率 250W
- 导通电阻（最大值）@漏极电流，栅源电压 120mOhm @ 26A, 10V
- 输入电容 (Ciss) (最大值) @ Vds 6800pF @ 100V
- 连续漏极电流 (Id) @ 25°C 30A
- 配置 2 N Channel (Dual Buck Chopper)